快科技5月1日音讯，武汉近日发布2026年首要技俩蓄意，380亿好意思元（约合东说念主民币2600亿元）存储半导体扩产经营宣告落地。

扩产以长江存储与武汉新芯为双中枢，主攻3D NAND与DRAM两大标的。长江存储三期厂房已进入树立调试阶段，展望2026年底参加量产，2027年达成月产能5万片的阶段性经营。

长江存储三座新厂全面达产后，总产能较现存水平晋升向上100%，出货量有望杰出SK海力士和好意思光，剑指大家NAND闪存第三席位，仅次于三星和铠侠。

武汉新芯同步鼓励三期扩产，总投资280亿元。武汉新芯深耕NOR Flash本性工艺，是国内范围最大的NOR Flash芯片制造厂商，当今领有两座12英寸晶圆厂，每座月产能超3万片。

产能翻番的背后，是AI算力对存储芯片的需求加大。TrendForce最新数据露出，单台AI管事器对DRAM的需求是传统管事器的8倍，对NAND Flash的需求是3倍。

高盛预测2026年大家DRAM供需缺口将达4.9%，为15年来最严重。而原厂产能爬升需要12至18个月，供需缺口短期内难以填平。

存储芯片价钱在AI需求的握续拉动下大幅高潮，产业链企业的功绩同步达成。其中佰维存储2026年Q1实现买卖收入68.14亿元，同比增长341.53%；归母净利润28.99亿元，荒谬于2025年全年净利润的3.3倍。

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